https://knightli.com/tags/0%E5%8E%8B%E9%99%8D%E7%94%B5%E8%B7%AF/ Recent content in 0压降电路 on KnightLi的博客 Hugo -- gohugo.io zh-cn Mon, 30 Sep 2024 00:00:00 +0000 https://knightli.com/2024/09/30/%E7%94%B5%E6%BA%90%E5%88%87%E6%8D%A2%E7%94%B5%E8%B7%AF/ Mon, 30 Sep 2024 00:00:00 +0000 https://knightli.com/2024/09/30/%E7%94%B5%E6%BA%90%E5%88%87%E6%8D%A2%E7%94%B5%E8%B7%AF/ <h2 id="主副电源自动切换电路0压降">主副电源自动切换电路，0压降 </h2><p>本电路的一大优点就是，整个电路几乎不存在压降，适合大电流应用. 巧妙的控制三个MOS管的开启与截止，最大效率的实现的主副电源的自动切换。</p> <h3 id="电路图和功能分析">电路图和功能分析 </h3><ul> <li>本电路实现了，当Vin1 = 3.3V时，不管Vin2有没有电压，都由Vin1通过Q3输出电压，当Vin1断开的时候，由Vin通过Q2输出电压。</li> <li>因为选用MOS管的Rds非常小，产生的压降差不多为数十mV，所以Vout基本等于Vin。</li> <li>当存在主电源时，电路的静态功耗为20uA，否则，几乎为零。所以适合使用电池在外部电源供电。 <img src="https://knightli.com/2024/09/30/%E7%94%B5%E6%BA%90%E5%88%87%E6%8D%A2%E7%94%B5%E8%B7%AF/1.png" width="820" height="557" srcset="https://knightli.com/2024/09/30/%E7%94%B5%E6%BA%90%E5%88%87%E6%8D%A2%E7%94%B5%E8%B7%AF/1_hu_7b8e1202c39b081c.png 480w, https://knightli.com/2024/09/30/%E7%94%B5%E6%BA%90%E5%88%87%E6%8D%A2%E7%94%B5%E8%B7%AF/1_hu_6f8da5b575c307e2.png 1024w" loading="lazy" class="gallery-image" data-flex-grow="147" data-flex-basis="353px" ></li> </ul> <h3 id="原理分析">原理分析 </h3><ol> <li>如果Vin1 = 3.3V，NMOS Q1导通，之后拉低了PMOS Q3的栅极，然后Q1也开始导通，此时，Q2的栅极跟源极之间的电压为Q3的导通压降，该电压差不多为几十mV，因此Q2关闭，外部电源Vin2断开，Vout由Vin1供电，Vout = 3.3V。此时整个电路的静态功耗I1+I2 = 20uA。</li> <li>现在，Vin1断开了，Q1截止，Q2的栅极有R1的下拉，所以Q2导通，Q3的栅极通过R2上拉，所以Q3也截止，整个电路，Q1跟Q3截止，Vout由Vin2供电，Vout = 3.3V。此时上面电路I1跟I2的静态功耗不存在。</li> </ol> <p>MOSFET Q1、Q2跟Q3应该选择具有低压栅极和非常低的导通电阻特性。 例如：Q2 = Q3 = PMN50XP ，在Vgs = 3.3V时RdsON为60mΩ。Q3可以选择2N7002，仅供参考，实际根据不同的情况选择合适的MOSFET。</p>